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日本ZA57630高精度阻抗分析儀

日本ZA57630高精度阻抗分析儀

更新時(shí)間:2024-09-13

產(chǎn)品特點(diǎn):
日本ZA57630高精度阻抗分析儀介紹:
ZA57630可以滿足電子元件與材料分析:電池、SMD電感、一體成型電感、電感線圈、繼電器、變壓器、共模電感、陶瓷電容、變?nèi)荻O管、壓電元件、晶體振蕩器、薄膜、電解質(zhì)、磁導(dǎo)率、介電常數(shù)、生物醫(yī)學(xué)技術(shù)分析、CV測(cè)量:半導(dǎo)體、功率MOSFET、NFC/EMI/無(wú)線充電、bead、physics patches等。
產(chǎn)品介紹
品牌其他品牌產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子,汽車,電氣

日本ZA57630高精度阻抗分析儀介紹:

ZA57630可以滿足電子元件與材料分析:電池、SMD電感、一體成型電感、電感線圈、繼電器、變壓器、共模電感、陶瓷電容、變?nèi)荻O管、壓電元件、晶體振蕩器、薄膜、電解質(zhì)、磁導(dǎo)率、介電常數(shù)、生物醫(yī)學(xué)技術(shù)分析、CV測(cè)量:半導(dǎo)體、功率MOSFET、NFC/EMI/無(wú)線充電、bead、physics patches等。ZA57630可以滿足電子元件與材料分析:電池、SMD電感、一體成型電感、電感線圈、繼電器、變壓器、共模電感、陶瓷電容、變?nèi)荻O管、壓電元件、晶體振蕩器、薄膜、電解質(zhì)、磁導(dǎo)率、介電常數(shù)、生物醫(yī)學(xué)技術(shù)分析、CV測(cè)量:半導(dǎo)體、功率MOSFET、NFC/EMI/無(wú)線充電、bead、physics patches等。



基本精度


頻率范圍


阻抗范圍


測(cè)量 AC 信號(hào)級(jí)別


DC 偏置


測(cè)量時(shí)間


測(cè)量參數(shù)

±0.08%

10 µHz~36 MHz

10 µΩ~100 GΩ (模式: IMPD-EXT)

0.01 mVrms~3 Vrms
0.1 µArms~60 mArms

?5 V ~ +5 V/?40 V ~ +40 V (1 kHz以上)
100 mA ~ +100 mA

0.5 ms/point

Z, R, X, Y, G, B, Ls, Lp, Cs, Cp, Rs, Rp, θz, θy, D, Dε, Dµ,
Q, V, I, εs, εs’, εs",µs, µs’, µs", FREQUENCY


快速測(cè)量  業(yè)界.5 ms/point

實(shí)現(xiàn)了業(yè)界的0.5ms/point。
縮短生產(chǎn)線的節(jié)拍時(shí)間,提高測(cè)量作業(yè)的效率。
此外,通過(guò)增加設(shè)定的測(cè)量時(shí)間,使測(cè)量結(jié)果平均化,減輕噪聲的影響??梢曅枰x擇合適的測(cè)量時(shí)間。

img01


4種測(cè)量模式  應(yīng)對(duì)廣泛的DUT


IMPD-3T
  標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式

本模式可以在廣泛的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行高精度測(cè)量??墒褂脺y(cè)試線及測(cè)試夾具,應(yīng)對(duì)各種形狀的試樣。

img02



IMPD-2T
  高頻測(cè)量模式

本模式可以在 10MHz 以上的高頻下進(jìn)行穩(wěn)定的測(cè)量。使用 N 型連接器進(jìn)行 2 端子測(cè)量,即便配線長(zhǎng),也可以進(jìn)行穩(wěn)定的測(cè)量。

img03



IMPD-EXT
 外部擴(kuò)展測(cè)量模式

本模式為外部連接放大器或分流電阻等物進(jìn)行測(cè)量。
可以通過(guò)施加高壓信號(hào)或檢測(cè)微小電壓 / 電流進(jìn)行單獨(dú)使用本儀器無(wú)法應(yīng)對(duì)的測(cè)量。

img04



G-PH
  增益/相位測(cè)量模式

本模式可以測(cè)量濾波器、放大器等的傳輸特性。向被測(cè)電路施加掃描信號(hào),高精度地測(cè)量其頻率響應(yīng)(增益、相位)。

img05

正面面板測(cè)量端子img06


特點(diǎn)

結(jié)合用途配備豐富的功能!
以適合DUT特性的設(shè)定,支持高重現(xiàn)性且準(zhǔn)確的測(cè)量。
準(zhǔn)確的評(píng)價(jià)基于實(shí)際使用的操作條件。

電子零件、電子材料可能因測(cè)量頻率及施加的信號(hào)級(jí)別而表現(xiàn)出不同的特性。電容器和電感器存在因寄生成分引發(fā)的頻率依賴性,二極管等半導(dǎo)體器件由于 DC 偏置疊加而產(chǎn)生特性變化。
要評(píng)價(jià)真實(shí)的特性,重要的是頻率、AC 振幅和 DC 偏置的掃頻,在實(shí)際的操作條件下進(jìn)行測(cè)量。


特點(diǎn)

  • 掃頻

  • 延遲功能

  • 標(biāo)記操作

  • 測(cè)量條件等的設(shè)定

  • 自動(dòng)高密度掃頻

  • 順序測(cè)量

  • 量程

  • 誤差校正

  • 圖表顯示


豐富的功能

  • 共振點(diǎn)跟蹤測(cè)量

  • 相對(duì)介電常數(shù)測(cè)量

  • 外部基準(zhǔn)時(shí)鐘

  • 等效電路估算

  • 相對(duì)導(dǎo)磁率測(cè)量

  • 存儲(chǔ)器操作

  • 壓電常數(shù)計(jì)算

  • 比較器 / 處理器接口



掃頻   頻率、AC 振幅、DC 偏置、零頻寬


AC 振幅掃描AC amplitude sweep


掃頻Frequency sweep


DC 偏置掃頻DC bias sweep


零頻寬

不變更頻率、AC 振幅和 DC 偏置的參數(shù),按恒定的條件進(jìn)行測(cè)量,觀察不同時(shí)間的特性變化(橫軸:時(shí)間)


也能應(yīng)對(duì)點(diǎn)測(cè)

按恒定的頻率 /AC 振幅 /DC偏置進(jìn)行測(cè)量,以數(shù)值顯示測(cè)量結(jié)果。多可以設(shè)定 6 個(gè)項(xiàng)目。
與比較器功能組合,可以進(jìn)行篩選及判定是否合格。

Also capable of spot measurements
生產(chǎn)線內(nèi)的測(cè)量




測(cè)量條件等的設(shè)定

在 1 個(gè)界面內(nèi)直觀地進(jìn)行詳細(xì)設(shè)定


設(shè)定項(xiàng)目(SETTING VIEW)Setting items (SETTING VIEW)


設(shè)定圖表軸Graph axis setting


設(shè)定頻率Frequency settings




量程


自動(dòng)量程

監(jiān)視測(cè)量結(jié)果,同時(shí)自動(dòng)設(shè)定合適的量程進(jìn)行測(cè)量。
檢測(cè)到超過(guò)量程的外部噪聲或直流分量時(shí),重新設(shè)定為更大的量程并重新測(cè)量。測(cè)量數(shù)據(jù)的變化大時(shí)啟用。


固定量程

量程固定,因此不會(huì)產(chǎn)生因量程變化引發(fā)的測(cè)量值不連續(xù)(段差)。




延遲功能

如果在掃描過(guò)程中變更了頻率、AC 振幅等掃描參數(shù),則瞬態(tài)響應(yīng)將導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果出現(xiàn)誤差。參數(shù)變更后,可以延遲開始測(cè)量的時(shí)間。延遲包括“延遲開始測(cè)量"和“延遲測(cè)量",前者在開始測(cè)量時(shí)延遲,后者在掃描過(guò)程中每次變更參數(shù)時(shí)延遲。




自動(dòng)高密度掃頻

在掃頻測(cè)量中,本功能限定在測(cè)量數(shù)據(jù)突變的區(qū)間自動(dòng)提高頻率密度進(jìn)行測(cè)量。
在壓電振蕩器、晶體振蕩器等的共振特性測(cè)量中,本功能在相位急劇變化的共振附近的測(cè)量中啟用。




誤差校正

為進(jìn)行準(zhǔn)確的評(píng)價(jià),需根據(jù)測(cè)量誤差因子進(jìn)行校正。


為進(jìn)行準(zhǔn)確的測(cè)量,需適當(dāng)校正殘余阻抗、電纜長(zhǎng)度等各種測(cè)量誤差因子。


開路校正

減少因殘余導(dǎo)納引起的誤差


短路校正

減少因殘余阻抗引起的誤差


負(fù)載校正

以具有已知值的試樣作為標(biāo)準(zhǔn)阻抗,校正與真值的偏差


端口延長(zhǎng)

使用長(zhǎng)電纜時(shí),校正因傳輸延遲時(shí)間而產(chǎn)生的相位誤差


電位梯度消除

消除測(cè)量信號(hào)所含的電位波動(dòng)波形的影響。在由于電池等的充放電會(huì)引起電位變化的試樣的測(cè)量中啟用


補(bǔ)償

預(yù)先測(cè)量連接到外部的傳感器、電纜等測(cè)量系統(tǒng)的頻率特性,校正測(cè)量系統(tǒng)的誤差成分


輸入加權(quán)碼

校正探頭的衰減量及前置放大器的增益


自行校準(zhǔn)

校正自身誤差




標(biāo)記操作

本功能用于讀取所顯示的圖表中 X、Y1、Y2 的測(cè)量值。
多可使用 8 個(gè)標(biāo)記。


Δ標(biāo)記 顯示與基準(zhǔn)標(biāo)記(標(biāo)記 1)的差異


ΔTRKG 標(biāo)記

與Δ標(biāo)記同樣顯示差異,移動(dòng)到標(biāo)記 1 時(shí),保持恒定的掃描值差異,同時(shí)進(jìn)行移動(dòng)


標(biāo)記搜索功能

可自動(dòng)搜索與設(shè)定條件一致的點(diǎn)

Marker search function




順序測(cè)量

本功能預(yù)先設(shè)定多項(xiàng)所需的測(cè)量條件,按照該條件依次進(jìn)行測(cè)量。多可將掃描范圍分割成 32 部分,各范圍內(nèi)按照不同的測(cè)量條件進(jìn)行測(cè)量。
可高效地測(cè)量因電壓值而使特性發(fā)生變化的多層陶瓷電容器(MLCC)、電感器及變壓器等器件。




圖表顯示


SINGLE 顯示 /SPLIT 顯示

可選擇在 1 個(gè)畫面內(nèi)顯示 1 個(gè)圖表的“SINGLE"和上下顯示 2 個(gè)圖表的“SPLIT"


相位顯示操作

±180°、0°~+360°、-360°~0°、UNWRAP(連續(xù)顯示)、 360°移位、孔徑(群延遲特性)


跡線操作

可改寫測(cè)量數(shù)據(jù)跡線(MEAS)和多 8 條參照數(shù)據(jù)跡線(REF)


自動(dòng)存儲(chǔ)

本功能在掃描測(cè)量結(jié)束后自動(dòng)將 MEAS 跡線復(fù)制到 REF 跡線中。在隨時(shí)間而變化的特性觀測(cè)中啟用。

SPLIT 顯示

SPLIT display

自動(dòng)存儲(chǔ)

Auto store




共振點(diǎn)跟蹤測(cè)量

本功能在測(cè)量具有共振的試樣時(shí),使測(cè)量頻率自動(dòng)跟蹤試樣的共振頻率。 即使試樣具有振幅依賴性或共振頻率隨時(shí)間變化而波動(dòng),也可以始終進(jìn)行與共振頻率一致的測(cè)量。本功能便于在壓電元件的共振點(diǎn)附近進(jìn)行連續(xù)測(cè)量。

RESONANT FREQUENCY TRACKING FUNCTION
共振頻率變化(1.6 kHz→1.5858 kHz)、自動(dòng)跟蹤




等效電路估算

本功能將掃頻測(cè)量獲得的阻抗特性應(yīng)用于等效電路模型,從而求出LCR 元件的值(電感值、電容值、電阻值)。準(zhǔn)備有以下 6 種模型。等效電路估算結(jié)果可以用 CSV 格式保存。


等效電路模型Equivalent circuit model


Equivalent circuit model




壓電常數(shù)計(jì)算

本功能測(cè)量壓電陶瓷的頻率 - 阻抗特性,并計(jì)算機(jī)電耦合系數(shù)和壓電常數(shù)等。

按照 JEITA 標(biāo)準(zhǔn)《EM-4501A 壓電陶瓷振蕩器的電氣試驗(yàn)方法》規(guī)定的方法計(jì)算參數(shù)。


測(cè)量結(jié)果顯示Measurement results


常數(shù)計(jì)算畫面Constant calculation




相對(duì)介電常數(shù)測(cè)量

可以預(yù)先設(shè)定試樣尺寸等信息,將阻抗測(cè)量結(jié)果(Cp,Rp)換算為復(fù)相對(duì)介電常數(shù)進(jìn)行顯示。

相對(duì)介電常數(shù) εs

相對(duì)介電常數(shù)實(shí)部 εs’

相對(duì)介電常數(shù)虛部 εs"

損耗率 Dε


εs’?εs"RELATIVE PERMITTIVITY MEASUREMENT


εs?DεRELATIVE PERMITTIVITY MEASUREMENT




相對(duì)導(dǎo)磁率測(cè)量

可以預(yù)先設(shè)定試樣尺寸等信息,將阻抗測(cè)量結(jié)果(Ls, Rs)換算為復(fù)相對(duì)導(dǎo)磁率進(jìn)行顯示。

相對(duì)導(dǎo)磁率µs

相對(duì)導(dǎo)磁率實(shí)部 µs’

相對(duì)導(dǎo)磁率虛部 µs"

損耗率 Dµ


µs’?µs"RELATIVE MAGNETIC PERMEABILITY MEASUREMENT


µs?DµRELATIVE MAGNETIC PERMEABILITY MEASUREMENT




比較器 / 處理器接口  用于生產(chǎn)線!

測(cè)量速度 快 0.5 ms/point,縮短了節(jié)拍時(shí)間,
并進(jìn)一步完善了零件篩選功能!!


比較器功能針對(duì)測(cè)量結(jié)果預(yù)先設(shè)定判定范圍,為篩選試樣而進(jìn)行分類以及判定是否合格。


比較器設(shè)定畫面Comparator setting screen


分類判定

本功能多可將判定結(jié)果分為14類。判定結(jié)果

Bin sorting


極限判定

本功能在已設(shè)定的范圍內(nèi)判定測(cè)量結(jié)果是否合格。

Limit sorting


區(qū)域判定

本功能通過(guò)X軸(掃描參數(shù))和Y1/Y2軸(測(cè)量結(jié)果)的2個(gè)維度判定掃描測(cè)量結(jié)果是否合格。

Zone sorting


處理器接口

可以將比較器的判定結(jié)果輸出到背面面板上配備的處理器接口連接器。通過(guò)連接零件處理器,可以構(gòu)建零件的自動(dòng)判別系統(tǒng)。

Handler interface




外部基準(zhǔn)時(shí)鐘

外部的 10MHz 時(shí)鐘信號(hào)可以用作基準(zhǔn)時(shí)鐘。
通過(guò)使用精度高于內(nèi)部基準(zhǔn)時(shí)鐘的基準(zhǔn)時(shí)鐘,可以提高測(cè)量頻率的精度和穩(wěn)定性。
此外,通過(guò)采用與其他儀器通用的基準(zhǔn)時(shí)鐘,可以共享頻率精度。

EXTERNAL REFERENCE CLOCK
配備于背面面板




存儲(chǔ)器操作

測(cè)量條件及測(cè)量數(shù)據(jù)可以保存到內(nèi)存或 USB 存儲(chǔ)器中,也可以進(jìn)行讀取。

用于電化學(xué)阻抗特性測(cè)量

配備用于測(cè)量各種電化學(xué)阻抗的功能,例如測(cè)量電池的內(nèi)部阻抗等。

  • 可以從超低頻10μHz開始測(cè)量

  • 利用電位梯度消除功能,抑制充放電對(duì)電位變化測(cè)量的影響

  • 利用0° SYNC功能,在相位0°處變更測(cè)量頻率,使測(cè)量前后對(duì)試樣的電荷轉(zhuǎn)移量為零。

  • 利用測(cè)量同步驅(qū)動(dòng)功能,僅在測(cè)量過(guò)程中輸出信號(hào),
      從而將施加信號(hào)產(chǎn)生的電池負(fù)擔(dān)減輕到小限度。

  • 測(cè)量例

    測(cè)量實(shí)績(jī)數(shù)據(jù) (各類電子元件以及電子材料)


    |

    電容器

    |

    電感器

    |

    電阻器

    |




    |

    壓電元件

    |

    液體

    |

    電路

    |



    電容器

    0.1μF 電容 (引腳元件)

    電容頻率測(cè)量

    graph

    標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)

    0.1μF 電容 (引腳元件)

    阻抗頻率測(cè)量

    graph

    標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)

    4.7μF 電容器 (SMD元件)

    電容ESR測(cè)量

    graph

    標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)




    電感器

    10μH 電感器 (SMD元件)

    自諧振頻率測(cè)量

    graph

    標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)

    RFID傳輸用天線電感器 (PCB裝機(jī))

    共振頻率測(cè)量

    graph

    高頻測(cè)量模式 (IMPD-2T)

    220μH 線圈電感器

    自諧振頻率測(cè)量

    graph

    標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)




    電阻器

    50MΩ 電阻器

    高阻抗測(cè)量

    graph

    外部擴(kuò)張測(cè)量模式 (IMPD-EXT)
    連接外部寬頻電流放大器 (SA-604F2) 所測(cè)量




    壓電元件

    壓電陶瓷振蕩器

    共振頻率測(cè)量

    graph

    標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)
    利用marker操作,顯示共振點(diǎn)的數(shù)值

    共振頻率測(cè)量

    graph

    標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)
    使用marker操作,顯示共振點(diǎn)·共振點(diǎn)的數(shù)值



    液體

    純凈水

    阻抗頻率測(cè)量

    graph

    標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)
    使用液體測(cè)量治具所測(cè)量

    介電常數(shù)測(cè)量

    graph

    通過(guò)左邊的阻抗頻率測(cè)試結(jié)果所計(jì)算出的介電常數(shù)數(shù)值 (εs′, εs")



    電路

    CR濾波器 (fc≒10 MHz)

    增益/相位測(cè)量 (G-PH)

    graph

    增益/相位測(cè)量模式

    技術(shù)規(guī)格

    機(jī)型

    ZA56730

    頻率范圍

    20Hz~36MHz

    測(cè)試參數(shù)

    L(電感)、Q(品質(zhì)因素)、D(消耗因素)、C(電容)、Z(阻抗)、X(電抗)、ACR(交流電阻)、θ(相位角)、Y(導(dǎo)納)、G(電導(dǎo))、 B(電納)、V、I、εs(介電常數(shù))、Dε(損耗率)、μs(磁導(dǎo)率)、G-PH(增益/相位)

    參數(shù)范圍

    Z, R, X  10μΩ ~ 100GΩ

    G, Y, B  0.01mS ~ 999.999GS

    L  0.01nH ~  2kH

    C  1aF ~999.999GF

    D  0.00001 ~ 99999.9

    Q 0.00001 ~ 99999.9

    εs、μs:1a ~999.999G

    Dε、Dμ :0.00001 ~ 99999.9

    V:0 ~9.99999 Vrms

    I:0 ~99.9999 mArms

    dB:-999.999dB ~ 999.999 dB

    θ:  -180.000 o ~ +179.999 o  ;0.000 o ~ +360.000 o

    AC信號(hào)電平

    0.01 mVrms ~ 3 Vrms ; 0.1 μArms ~ 60 mArms

    輸出阻抗

    50Ω

    等效電路

    六種等效電路模型

    直流偏置

    內(nèi)置偏壓-5 V ~ +5 V; -40 V ~ +40 V1 KHz以上

    內(nèi)置偏流-100 mA ~ 100 mA

    測(cè)模式

    標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量(IMPD-3T

    高頻測(cè)量(IMPD-2T

    外部擴(kuò)展測(cè)量(IMPD-EXT

    增益·相位測(cè)量(G-PH)

    通信接口

    GPIB、LAN、USB、RS-232

    擴(kuò)展連接器

    AUX連接器

    存儲(chǔ)

    內(nèi)存32組(每種測(cè)量模式);外部USB存儲(chǔ)器

    溫濕度

    溫度0℃~+40℃(操作)、0 ~ 85%RH

    輸入電壓

    使用電源AC100V ~ 230V ±10% (可自動(dòng)切換),頻率50Hz / 60Hz ± 2Hz

    標(biāo)準(zhǔn)配件

    操作手冊(cè)、電源線、PA-001-3234標(biāo)準(zhǔn)治、PA-0013233標(biāo)準(zhǔn)電阻(100Ω

    外形尺寸(mm)

    430(W×177(H)× 350(D)  

    凈重量

    7Kg



    訂貨信息Ordering Information

    ZA57630  精密阻抗分析儀36MHz

    配件選配Options


    1011   DIP測(cè)試夾具
    1020   薄膜測(cè)試治具 40 MHz

    1012   SMD二線式測(cè)試治具 120 MHz
    1022   液體測(cè)試治具 40 MHz

    1014   SMD四線式測(cè)試治具 120 MHz
    1024   SMD二線式測(cè)試治具 120 MHz            

    1025   線式接觸式測(cè)試治具 20 MHz
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    ZM2363   DIP四線式
    測(cè)試夾具 10 MHz

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    PA-001-3234 標(biāo)準(zhǔn)治
    ZM2394H  SMD二線式測(cè)試夾具 30 MHz

    1EVA40100   測(cè)試夾(細(xì)齒) 3 MHz
    1EVA40180 測(cè)試夾(粗齒) 3 MHz





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